60T65PES (повне маркування MBQ60T65PES) — це потужний високошвидкісний IGBT-транзистор N-канального типу із вбудованим захисним діодом, який виготовляє компанія Magnachip Semiconductor за технологією Field Stop Trench 2nd Generation.
Загальні характеристики
Виробник:
MagnaChip
Монтаж:
THT
Структура:
I2r
Тест:
3dft
Граничні параметри
Напруга колектор-емітер, В:
650
Напруга насичення колектор-емітер, В:
1.85
Напруга затвор-емітер, В:
20
Постійний струм колектора при 100*С, А:
60
Імпульснийний струм колектора, А:
180
Прямий струм діода при 100*С, А:
30
Імпульснийний струм діода, А:
200
Розсіювана потужність при 25*С, Вт:
214
60T65PES
- Модель: Продукт 1023
- Наявність: В наявності
-
110.00 грн.