2SK2968 — це високовольтний потужний N-канальний MOSFET транзистор, розроблений компанією Toshiba. Він виготовлений за технологією π-MOSIII і призначений для використання в імпульсних джерелах живлення (DC-DC конвертерах), схемах керування двигунами та реле.
Завдяки високій робочій напрузі (900 В) транзистор використовується в:Високовольтних інверторах та зварювальних апаратах.Блоках живлення промислового обладнання та телевізорів.Драйверах крокових або DC-двигунів
Загальні характеристики
Виробник:
TOSHIBA
Тип корпусу:
TO-3P
Монтаж:
THT
Структура:
N-FET
Граничні параметри
Напруга стік-витік,В:
900
Постійний струм стоку при 100*С, А:
10
Опір відкритого каналу,мОм:
1.25
Напруга затвор-витік,В:
30
Ємність затвора,пФ:
2150
Імпульснийний струм стоку, А:
30
Напруга на затворі,В:
4
Розсіювана потужність при 25*С, Вт:
150
2SK2968
- Модель: Продукт 1029
- Наявність: В наявності
-
110.00 грн.