SVG104R5NT — це потужний N-канальний польовий транзистор (MOSFET) типу N-channel enhancement mode, виготовлений китайською компанією Silan Microelectronics за технологією LVMOS. Завдяки низькому опору у відкритому стані та високій швидкості перемикання, він масово використовується в силовій електроніці, зокрема в джерелах безперебійного живлення (UPS) та інверторах (наприклад, автомобільних перетворювачах 12/24V в 220V)
Загальні характеристики
Виробник:
Silan Microelectronics
Тип корпусу:
TO-220 GDS-D
Монтаж:
THT
Структура:
N-FET
Граничні параметри
Напруга стік-витік,В:
100
Постійний струм стоку при 100*С, А:
110
Опір відкритого каналу,мОм:
4.5
Напруга затвор-витік,В:
20
Ємність затвора,пФ:
7266
Імпульснийний струм стоку, А:
480
Напруга на затворі,В:
4
Розсіювана потужність при 25*С, Вт:
208
SVG104R5NT
- Модель: Продукт 1028
- Наявність: В наявності
-
37.00 грн.