SVG103R0NT — це потужний польовий N-канальний MOSFET-транзистор з технологією збагачення (enhancement mode), який виготовляється відомою компанією Silan Microelectronics. Він розроблений за фірмовою технологією LVMOS для мінімізації опору у відкритому стані та забезпечення швидкого перемикання. Завдяки низькому заряду затвора, стійкості до високих швидкостей зміни напруги (dv/dt) та високій надійності, цей компонент широко використовується у джерелах безперебійного живлення (UPS), системах керування живленням для інверторів (Inverter Systems), низьковольтних драйверах двигунів (автомобільна та промислова електроніка)
Загальні характеристики
Виробник:
Silan Microelectronics
Тип корпусу:
TO-220 GDS-D
Монтаж:
THT
Структура:
N-FET
Граничні параметри
Напруга стік-витік,В:
100
Постійний струм стоку при 100*С, А:
128
Опір відкритого каналу,мОм:
3
Напруга затвор-витік,В:
20
Ємність затвора,пФ:
10542
Імпульснийний струм стоку, А:
720
Напруга на затворі,В:
3.8
Розсіювана потужність при 25*С, Вт:
223
SVG103R0NT
- Модель: Продукт 1027
- Наявність: В наявності
-
52.00 грн.

